Evo malo price i o memorijskim paramatrima:
Najcesce u BIOS-u možete podesiti određene memorijske parametre kako bi vaša memorija postizala bolje rezultate i na manjim radnim taktovima. Brži memorijski moduli su savršeni za ovu namenu. Više nego često ćete smanjivanjem CAS latency-a ili RAS-to-CAS delay-a postići mnogo bolje rezultate nego da ubrzavate radni takt memorije. Ovaj tekst bi trebalo da vam pokaže takozvane tweaking tehnike i da vas uputi kako da podesite memoy timings tako da izvučete maksimum. Najčešće je potrebno isprobati nekoliko različitih kombinacija brzine i tajminga memorije kako bi se ustanovilo koja podešavanja su najbolja. Najbolja su ona koja omogućavaju najveće moguće memorijske protoke a da pri tom sistem bude maksimalno stabilan, iz ovoga proizilazi da će vam za optimalna podešavanja memorije na vašem računaru biti potrebno nekoliko dana pa možda i nedelja.
Podešavanje tajminga memorije može da bude isto toliko važno koliko i radni takt memorije. Najzad memorijska magistrala podataka može biti kapitalizovana samo ako su podaci koji se čitaju iz memorijskih čipova dovoljno brzo na raspolaganju. A kada se podacima pristupa u različitim zonama memorije postoji čitav niz procesa koji su u mogućnosti da uspore protok podataka. Memorijski tajminzi su ono što određuje brzine svakog pojedinačnog procesa koji je uključen u pristup podacima u RAM-u. Naravno da ima jako mnogo smisla mučiti se oko optimizovanja ovih podešavanja. Performanse vaše memorije se mogu povećati i do desetak procenata. Što je još bitnije optimizovanje tajminga vaše memorije može imati više smisla nego povećavati radni takt memorije. Kvalitetniji DDR333 memorijski moduli sa agresivnim podešavanjima tajminga može da ima znatno bolje performanse nego neki DDR400 modul kod kojeg su radi višeg radnog takta smanjena sva podešavanja.
Prvi korak kod tweak-ovanja memorijskog modula je da isključite automatska podešavanja u BIOS-u. Kada su uključena ova podešavanja onda matična ploča čita SPD čip (Serial Presence Detect) na memorijskom modulu kako bi zatim automatski podesila sva setovanja za taj memorijski modul. Međutim ova podešavanja su veoma konzervativna i podešena su tako da omoguće stabilan rad na što više sistema. Ručnim podešavanjem se ove vrednosti mogu dovesti do određene granice, a da pritom sistem i dalje ostane stabilan. U većini slučajeva RAM moduli će raditi stabilno i pored toga što podešavanja koja ste sami namestili nemaju nikakve veze sa onim što piše u specifikaciji proizvođača. Međutim nemojte previše očekivati od jeftinih memorijskim modula, zapitajte se zašto su jeftini..
Navažnija podešavanja RAM memorije su CAS latency (CL), RAS-to-CAS delay, (RtCD) i RAS precharge time (RPT). Mnogi memorijski moduli imaju oznake kao što su PC2700-2.0-2-2.0 ili PC3200-3.0-3-3.0.Prvi deo oznake vam je verovatno jasan on opisuje tip memorije, a ostala tri su gore pomenuta podešavanja. Neki drugi proizvođači naprosto napišu da je CL 2.0 ili 2.5 ili 3.0. Naravno i druga dva parametra su podjednako važna za performanse, pa je velika mana to što nemamo informaciju o njima.
Kako bi razumeli tajming parametre, trebalo bi da znate šta se sve događa prilikom čitanja podataka iz memorije. Proces čitanja iz memorije pokreće kada kontroler na matičnoj ploči odabere memorijski modul koji sadrži tražene podatke. Kontroler zatim pronađe pravi čip na modulu i adresira podatke koje on sardži. Ćelije svakog memorijskog čipa su organizovane u vidu matrice i svaka ćelija ima svoju jedinstvenu adresu prema vrsti i koloni u kojoj se nalazi. Dakle presek svake vrste i svake kolone predstavlja jednu ćeliju.
Memorijski kontroler prvo šalje adresu vrste ćelije, koju želi da pronađe. nakon određenog vremenskog perioda (RAS to CAS delay), modul omogućava kontroleru da vidi sadržaj cele vrste koju je zatražio, ali na mestu za privremeno skladištenje podataka. Na modernim RAM čipovima ovaj proces traje dva do tri radna takta (clock cycles). Mogući su čak i intervali koji se nalaze između dva radna takta (2.5) iz razloga što DDR RAM šalje kontrolne signale i signale sa podacima dva puta u toku jednog takta (twice per clock cycle).
Kada je podatak privremeno uskladišten, kontroler šalje CAS (column adress strobe) signal, koji će preneti adresu kolone u kojoj se nalazi traženi podatak. Naravo i ovde je neophodno da protekne izvesno vreme (CAS latency) dok sadržaj izabrane ćelije ne bude poslat na izlazni registar memorijskog čipa.
U BIOS-u možete podesiti broj radnih taktova (clock cycles) koji su na raspolaganju za RAS to CAS delay i CAS latency. Što su niže vrednosti to su bolje performanse. CL ppodešavanje na 2.0 ili čak na 1.5 je moguće samo kod najbržih memorijskih modula. Ako je potrebno da se pročita susedni podatak iz iste kolone, onda je jedini faktor koji određuje brzinu pristupa CAS latency, jer kontroler već zna adresu vrste i ne mora ponovo da je traži. Kad god kontroler mora da traži adresu nove vrste u RAM čipu vreme tRAS (row active time) će proći pre nego što može da se pomeri sa jedne na drugu vrstu. Vreme tRAS se povećava tRP vremenom (RAS precharge time), koje je neophodno da se napune kola na veću voltažu. Drugim rečima čak i brzim memorijski modulima je potrebno najmanje sedam radnih taktova da ceo proces.
Moderni DDR čipovi su još jednom podeljeni na četiri segmenta (RAM Banks), svaki od njih predstavlja odvojenu memorijsku zonu. Ovakva podela omogućava da se zone u različitim čipovima adresiraju simultano, kako bi se uvećao protok podataka. Dok se podaci učitavaju iz jednog memorijskog segmenta, novi podaci se mogu adesirati u drugoj memorijskoj zoni. U BIOS-u je moguće podesiti koliko RAM Banks-a na jednom čipu može biti adresirano u isto vreme. Najbrže je četiri.
Automatic configuration (On/Off): Ako želite da ručno podešavate memoriju onda ovo treba da bude isključeno.
Bank Interleaving (Off/ 2/ 4): Adresiranje sva četiri memory bank-a u isto vreme će povećati performanse.
Burst Lenght (4/ 8): Ovde se određuje koliko paketa podataka se šalje u jednom ciklusu slanja. Idealno je da jedna transmisija popuni jedan memorijsku vrstu u L2 keš memoriji na procesoru. To je u stvari 64 bajta odnosno osam paketa podataka.
Command rate CMD (1/ 2) (1T/2T Select): Broj radnih taktova koji su neophodni da se adresira memorijski modul i memorijski čip sa traženom memorijskom zonom. Ako su vam sva memorijska ležišta popunjena memorijskim modulima trebalo bi da podignete ovu opciju na 2.
RAS Precharge time tRP (2/ 3) (Precharge to active): Broj radnih taktova neophodnih da se napune strujna kola kako bi se utvrdila adresa tražene vrste.
RAS to CAS delay tRCD (2/ 3/ 4/ 5) (Active to CMD): Broj radnih taktova koji prođu između trenutka kada se utvrdi adresa vrste i trenutka kada se šalje adresa kolone. Podešavanjem ovog faktora na 2, može se dobiti oko 4% na performansama.
Row ActiveTime tRAS (5/ 6/ 7) (Active to precharge delay, Precharge wait state, Row active delay, Row precharge delay): Vreme koje protekne kada se adresiraju dve različite vrste, u memorijskom čipu, jedna za drugom.
Memory clock (100/ 133/ 166/ 200) (DRAM Clock): Ovo je radni takt memorijske magistrale. Ovo je najčešće direktno povezano sa taktom FSB-a. DDR tehnologija (double data rate) udvostručuje brzinu prenosa podataka (doubles the data rate given by bus clock) dobijenu od radnog takta memorijske magistrale.
Evo i malo proracuna:
min t(RAS) = t(RCD) + CAS + 2T
tRC se može izračunati: tRC = min( t(RAS) + t(RP) )
max t(RAS)= t(RC) - t(RP)
Važno:
Ako ste podesili CAS, RAS-to-CAS i RAS-Precharge na 2-2-2, tada:
min(tRAS) >= 2 + 2 + 2 = 6
tRC je cca. 55 ns ili 11T u slučaju DR400 memorije (tRC = min(tRAS + tRP)) pa:
max t(RAS) =< 11 - 2 = 9
Izvori:
Pirates United
i
PC Ekspert
Bolje stotinu godina biti milijunas nego jedan dan siromah :mrgreen: